JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET (HEXFET/FETKY) Infineon Technologies N/P-kanaal I(D) 4 A/-3 A U(DS) 30 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 162448 - 89
Fabrikantnummer: IRF7309 |  EAN: 2050000041365
Afbeelding kan afwijken
€ 0,50
Je bespaart € 0,11
€ 0,39
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

MOSFET (HEXFET/FETKY)

Productspecificaties

Type
IRF7309 HEXFET SO‑8
Behuizingssoort
SOIC‑8
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
P‑kanaal
I(d)
4 A
3 A
UBR DSS
30 V
Ptot
1.4 W
R(DS)(on)
50 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
2.4 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
1 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
25 C
Q(G) referentiespanning
4.5 V
C(ISS)
520 pF
C(ISS) referentiespanning
15 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
30 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Beschikbaar in PCB
Target 3001!
ID
4 A/‑3 A
Beschrijving
30 V/N/P 4 A/‑3
Uitvoering
N/P‑kanaal
UDS
30 V

Download

Specificaties

Highlights & Details

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, IRF7309 HEXFET SO-8, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, IRF7309, Infineon Technologies, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen