JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

Mosfet (Hexfet/Fetky) Infineon Technologies IRL3502S N-kanaal Soort behuizing D2PAK I(D) 110 A U(DS) 20 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 162783 - 89
Fabrikantnummer: IRL3502S |  EAN: 2050000044069
Afbeelding kan afwijken
€ 3,44
Je bespaart € 1,46
€ 1,98
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

Mosfet (Hexfet/Fetky)

Productspecificaties

Type
IRL3502S
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
110 A
UBR DSS
20 V
Ptot
140 W
R(DS)(on)
7 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
64 A
R(DS)(on) referentiespanning
7 V
U(GS)(th) max.
0.7 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
110 C
Q(G) referentiespanning
4.5 V
C(ISS)
4700 pF
C(ISS) referentiespanning
15 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
20 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Beschikbaar in PCB
Target 3001!
Type
IRL3502S
Behuizing
D2PAK
ID
110 A
Beschrijving
20 V/110 A
Uitvoering
N‑kanaal
UDS
20 V

Download

Specificaties

Highlights & Details

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, IRL3502S, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, Infineon Technologies, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen