JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

Mosfet (Hexfet/Fetky) Infineon Technologies IRL3502S N-kanaal Soort behuizing D2PAK I(D) 110 A U(DS) 20 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 162783 - 89
Fabrikantnummer: IRL3502S |  EAN: 2050000044069
Afbeelding kan afwijken
€ 3,44
U bespaart € 1,46
€ 1,98
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

Mosfet (Hexfet/Fetky)

Productspecificaties

Type
IRL3502S
Behuizingssoort
D2PAK
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
110 A
UBR DSS
20 V
Ptot
140 W
R(DS)(on)
7 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
64 A
R(DS)(on) referentiespanning
7 V
U(GS)(th) max.
0.7 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
110 C
Q(G) referentiespanning
4.5 V
C(ISS)
4700 pF
C(ISS) referentiespanning
15 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
20 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Beschikbaar in PCB
Target 3001!
Uitvoering
N‑kanaal
UDS
20 V
Type
IRL3502S
Beschrijving
20 V/110 A
ID
110 A
Behuizing
D2PAK

Download

Specificaties

Highlights & Details

Klanten hadden ook interesse voor
IRL3502S, transistor MOS, MOSFET, fieldeffect-transistor, mos-fet, source, Infineon Technologies, drain, FET, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, gate, unipoliare transistor, metaal oxide semiconductor
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen