JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

Mosfet (Hexfet/Fetky) Infineon Technologies IRL 3102 S N-kanaal I(D) 61 A U(DS) 20 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 162769 - 89
Fabrikantnummer: IRL3102S |  EAN: 2050000043956
Afbeelding kan afwijken

Mosfet (Hexfet/Fetky)

Productspecificaties

Type
IRL3102S HEXFET D2PAK
Behuizingssoort
D2PAK
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
61 A
UBR DSS
20 V
Ptot
89 W
R(DS)(on)
13 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
37 A
R(DS)(on) referentiespanning
7 V
U(GS)(th) max.
0.7 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
58 C
Q(G) referentiespanning
4.5 V
C(ISS)
2500 pF
C(ISS) referentiespanning
15 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
20 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Uitvoering
N‑kanaal
UDS
20 V
Type
IRL 3102 S
Beschrijving
20 V/61 A
ID
61 A

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, MOSFET, fieldeffect-transistor, mos-fet, source, Infineon Technologies, IRL3102S HEXFET D2PAK, drain, FET, Feldeffect-transistor, IRL3102S, field-effect transistor, gate, unipoliare transistor, metaal oxide semiconductor
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen