JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET (HEXFET/FETKY) Infineon Technologies IRFPE 40 N-kanaal I(D) 5.4 A U(DS) 800 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 162671 - 89
Fabrikantnummer: IRFPE40 |  EAN: 2050000043154
Afbeelding kan afwijken
€ 2,91
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

MOSFET (HEXFET/FETKY)

Productspecificaties

Type
IRFPE40
Behuizingssoort
TO‑247
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
5.4 A
UBR DSS
800 V
Ptot
150 W
R(DS)(on)
2 Ω
R(DS)(on) referentiestroom
3.2 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
130 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
1900 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Doorvoergat
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
800 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Type
IRFPE 40
ID
5.4 A
Beschrijving
800 V/5,4 A
Uitvoering
N‑kanaal
UDS
800 V

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, IRFPE40, Infineon Technologies, fieldeffect-transistor, mos-fet