JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

Mosfet (hexfet/fetky) Infineon Technologies IRFP 3703 N-kanaal I(D) 210 A U(DS) 30 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 162652 - 89
Fabrikantnummer: IRFP3703PBF |  EAN: 2050000042980
Afbeelding kan afwijken
€ 3,52
Je bespaart € 0,65
€ 2,87
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

Mosfet (hexfet/fetky)

Productspecificaties

Type
IRFP3703
Behuizingssoort
TO‑247
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
210 A
UBR DSS
30 V
Ptot
3.8 W
R(DS)(on)
2.8 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
76 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
209 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
8250 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Doorvoergat
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
30 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Type
IRFP 3703
ID
210 A
Beschrijving
30 V/210 A
Uitvoering
N‑kanaal
UDS
30 V

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, IRFP3703PBF, IRFP3703, metaal oxide semiconductor, Infineon Technologies, fieldeffect-transistor, mos-fet