JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET (HEXFET/FETKY) Infineon Technologies IRFP 048 N N-kanaal I(D) 64 A U(DS) 55 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 162635 - 89
Fabrikantnummer: IRFP048N |  EAN: 2050000042836
Afbeelding kan afwijken
€ 4,98
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

MOSFET (HEXFET/FETKY)

Productspecificaties

Type
IRFPO48N
Behuizingssoort
TO‑247
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
64 A
UBR DSS
55 V
Ptot
140 W
R(DS)(on)
16 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
37 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
89 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
1900 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Doorvoergat
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
55 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Type
IRFP 048 N
ID
64 A
Beschrijving
55 V/64 A
Uitvoering
N‑kanaal
UDS
55 V

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
IRFP048N, IRFPO48N, transistor MOS, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, Infineon Technologies, fieldeffect-transistor, mos-fet