JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET (HEXFET/FETKY) Infineon Technologies IRF830APBF N-kanaal Soort behuizing TO-220 I(D) 5 A U(DS) 500 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 162524 - 89
Fabrikantnummer: IRF830APBF |  EAN: 2050000041860
Afbeelding kan afwijken
€ 1,81
Je bespaart € 0,86
€ 0,95
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

MOSFET (HEXFET/FETKY)

Productspecificaties

Type
IRF830APBF
Behuizingssoort
TO‑220
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
5 A
UBR DSS
500 V
Ptot
74 W
R(DS)(on)
1.4 Ω
R(DS)(on) referentiestroom
3 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4.5 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
24 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
620 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Doorvoergat
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
500 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Beschikbaar in PCB
Target 3001!
Type
IRF830APBF
Behuizing
TO‑220
ID
5 A
Beschrijving
500 V/5 A
Uitvoering
N‑kanaal
UDS
500 V

Download

Specificaties

Highlights & Details

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, IRF830APBF-ND, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, Infineon Technologies, IRF830APBF, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten