JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET (HEXFET/FETKY) Infineon Technologies IRF7105 N/P-kanaal Soort behuizing SO-8 I(D) 3.5 A/-2.3 A U(DS) 25 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 162433 - 89
Fabrikantnummer: IRF7105PBF |  EAN: 2050000041235
  • Afbeelding kan afwijken
  • MOSFET (HEXFET/FETKY) Infineon Technologies IRF7105 N/P-kanaal Soort behuizing SO-8 I(D) 3.5 A/-2.3 A U(DS) 25 V
€ 0,43
(U bespaart € 0,16)
€ 0,27
incl. btw, excl. verzendkosten
Aantal in stuk Prijs Besparing
1 € 0,27 --
2.250 € 0,26 4% = € 22,50
4.750 € 0,25 7% = € 95,00
Op voorraad
  • Type: IRF7105PBF
  • Behuizingssoort: SO-8
  • Fabrikant: Infineon Technologies
  • Fabrikantcode: INF
  • Uitvoering: N-kanaal , P-kanaal

MOSFET (HEXFET/FETKY)

Productspecificaties

Type
IRF7105PBF
Behuizingssoort
SO-8
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N-kanaal
P-kanaal
I(d)
3.5 A
2.3 A
UBR DSS
25 V
Ptot
2 W
R(DS)(on)
100 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
1 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
3 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
27 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
330 pF
C(ISS) referentiespanning
15 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
-55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
25 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Uitvoering
N/P-kanaal
Type
IRF7105
Beschrijving
25 VN/P 3.5 A/-2.3 A
ID
3.5 A/-2.3 A
UDS
25 V
Behuizing
SO-8
RDS(on)
0.109 Ω

Downloads

Vergelijkbare producten