JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET (HEXFET/FETKY) Infineon Technologies IRF7105 N/P-kanaal Soort behuizing SO-8 I(D) 3.5 A/-2.3 A U(DS) 25 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 162433 - 89
Fabrikantnummer: IRF7105PBF |  EAN: 2050000041235
Afbeelding kan afwijken
€ 1,85
U bespaart € 1,42
€ 0,43
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

MOSFET (HEXFET/FETKY)

Productspecificaties

Type
IRF7105
Behuizingssoort
SO‑8
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
P‑kanaal
I(d)
3.5 A
2.3 A
UBR DSS
25 V
Ptot
2 W
R(DS)(on)
100 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
1 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
3 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
27 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
330 pF
C(ISS) referentiespanning
15 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
25 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Beschikbaar in PCB
Target 3001!
Uitvoering
N/P‑kanaal
UDS
25 V
Type
IRF7105
RDS(on)
0.109 Ω
Beschrijving
25 VN/P 3.5 A/‑2.3 A
ID
3.5 A/‑2.3 A
Behuizing
SO‑8

Download

Specificaties

Highlights & Details

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, MOSFET, fieldeffect-transistor, mos-fet, source, Infineon Technologies, drain, IRF7105, FET, IRF7105PBF, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, gate, unipoliare transistor, metaal oxide semiconductor
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen