JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET (HEXFET/FETKY) Infineon Technologies IRF2807Z N-kanaal Soort behuizing TO-220AB I(D) 89 A U(DS) 75 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 164337 - 89
Fabrikantnummer: IRF2807Z |  EAN: 2050000052941
Afbeelding kan afwijken
€ 2,05
Je bespaart € 1,03
€ 1,02
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

MOSFET (HEXFET/FETKY)

Productspecificaties

Type
IRF2807Z
Behuizingssoort
TO‑220AB
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
75 A
UBR DSS
75 V
Ptot
170 W
R(DS)(on)
9.4 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
53 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
110 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
3270 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Doorvoergat
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
75 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Beschikbaar in PCB
Target 3001!
Type
IRF2807Z
Behuizing
TO‑220AB
ID
89 A
Beschrijving
75 V/89 A
Uitvoering
N‑kanaal
UDS
75 V

Download

Specificaties

Highlights & Details

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, IRF2807Z, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, Infineon Technologies, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten