JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET (HEXFET/FETKY) Infineon Technologies IRF 820 A N-kanaal I(D) 2.5 A U(DS) 500 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 162521 - 89
Fabrikantnummer: IRF820A |  EAN: 2050000041839
Afbeelding kan afwijken
€ 1,59
Je bespaart € 0,17
€ 1,42
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

MOSFET (HEXFET/FETKY)

Productspecificaties

Type
IRF820A
Behuizingssoort
TO‑220
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
2.5 A
UBR DSS
500 V
Ptot
50 W
R(DS)(on)
3 Ω
R(DS)(on) referentiestroom
1.5 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4.5 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
17 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
340 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Doorvoergat
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
500 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Beschikbaar in PCB
Target 3001!
Type
IRF 820 A
ID
2.5 A
Beschrijving
500 V/2.5 A
Uitvoering
N‑kanaal
UDS
500 V

Download

Specificaties

Highlights & Details

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, IRF820A, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, Infineon Technologies, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten