JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

Mosfet (Hexfet/Fetky) Infineon Technologies IRF 640 NS N-kanaal I(D) 18 A U(DS) 200 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 162425 - 89
Fabrikantnummer: IRF640NS |  EAN: 2050000041167
Afbeelding kan afwijken
€ 2,43
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

Mosfet (Hexfet/Fetky)

Productspecificaties

Type
IRF640NS
Behuizingssoort
TO‑263‑3
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
18 A
UBR DSS
200 V
Ptot
150 W
R(DS)(on)
150 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
11 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
67 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
1160 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
200 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Beschikbaar in PCB
Target 3001!
Uitvoering
N‑kanaal
UDS
200 V
Type
IRF 640 NS
Beschrijving
200 V/18 A
ID
18 A

Download

Specificaties

Highlights & Details

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, MOSFET, fieldeffect-transistor, mos-fet, IRF640NS, source, Infineon Technologies, drain, FET, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, gate, unipoliare transistor, metaal oxide semiconductor
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen