JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET (HEXFET/FETKY) Infineon Technologies IRF 634 N-kanaal I(D) 8.1 A U(DS) 250 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 162423 - 89
Fabrikantnummer: IRF634 |  EAN: 2050000041143
Afbeelding kan afwijken
€ 1,99
U bespaart € 0,51
€ 1,48
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

MOSFET (HEXFET/FETKY)

Productspecificaties

Type
IRF634
Behuizingssoort
TO‑220
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
8 A
UBR DSS
250 V
Ptot
80 W
R(DS)(on)
450 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
4 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
51.8 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
770 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Montagewijze
Doorvoergat
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Serie (halfgeleiders)
MESH OVERLAY™
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
250 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Beschikbaar in PCB
Target 3001!
Uitvoering
N‑kanaal
UDS
250 V
Type
IRF 634
Beschrijving
250 V/8,1 A
ID
8.1 A

Download

Specificaties

Highlights & Details

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, MOSFET, fieldeffect-transistor, mos-fet, source, Infineon Technologies, drain, IRF634, FET, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, gate, unipoliare transistor, metaal oxide semiconductor
Vergelijkbare producten