JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

Mosfet (Hexfet/Fetky) Infineon Technologies IRF 610 S N-kanaal I(D) 3.3 A U(DS) 200 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 162415 - 89
Fabrikantnummer: IRF610S |  EAN: 2050000041068
Afbeelding kan afwijken
€ 1,31
Je bespaart € 0,34
€ 0,97
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

Mosfet (Hexfet/Fetky)

Productspecificaties

Type
IRF610S HEXFET D2PAK
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
3.3 A
UBR DSS
200 V
Ptot
3 W
R(DS)(on)
1.5 Ω
R(DS)(on) referentiestroom
2 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
8.2 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
140 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
200 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Beschikbaar in PCB
Target 3001!
Type
IRF 610 S
ID
3.3 A
Beschrijving
200 V/3,3 A
Uitvoering
N‑kanaal
UDS
200 V

Highlights & Details

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Feldeffect-transistor, IRF610S HEXFET D2PAK, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, IRF610S, Infineon Technologies, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen