JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET (HEXFET/FETKY) Infineon Technologies IRF 3710 Z N-kanaal I(D) 59 A U(DS) 100 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 164339 - 89
Fabrikantnummer: IRF3710Z |  EAN: 2050000052965
  • Afbeelding kan afwijken
  • MOSFET (HEXFET/FETKY) Infineon Technologies IRF 3710 Z N-kanaal I(D) 59 A U(DS) 100 V
€ 1,48
(U bespaart € 0,53)
€ 0,95
incl. btw, excl. verzendkosten
Aantal in stuk Prijs Besparing
1 € 0,95 --
250 € 0,90 5% = € 12,50
600 € 0,85 11% = € 60,00
900 € 0,80 16% = € 135,00
1.500 € 0,76 20% = € 285,00
Op voorraad
  • Type: IRF3710Z
  • Behuizingssoort: TO-263-3
  • Fabrikant: Infineon Technologies
  • Fabrikantcode: INF
  • Uitvoering: N-kanaal

MOSFET (HEXFET/FETKY)

Productspecificaties

Type
IRF3710Z
Behuizingssoort
TO-263-3
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N-kanaal
I(d)
59 A
UBR DSS
100 V
Ptot
160 W
R(DS)(on)
18 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
35 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
120 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
2900 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
-55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
100 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Uitvoering
N-kanaal
Type
IRF 3710 Z
Beschrijving
100 V/59 A
ID
59 A
UDS
100 V

Downloads

Vergelijkbare producten