JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET (HEXFET/FETKY) Infineon Technologies IRF 3708 N-kanaal I(D) 62 A U(DS) 30 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 162394 - 89
Fabrikantnummer: IRF3708PBF |  EAN: 2050000040870
Afbeelding kan afwijken

Er is een fout opgetreden.

De opdracht kon niet goed worden verwerkt. Probeer het nog een keer en neem, als het dan nog niet lukt, contact op met contact@conrad.nl

MOSFET (HEXFET/FETKY)

Productspecificaties

Type
IRF3708
Behuizingssoort
TO‑220
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
62 A
UBR DSS
30 V
Ptot
87 W
R(DS)(on)
12 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
15 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
2 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
24 C
Q(G) referentiespanning
4.5 V
C(ISS)
2417 pF
C(ISS) referentiespanning
15 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Doorvoergat
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
30 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Beschikbaar in PCB
Target 3001!
Type
IRF 3708
ID
62 A
Beschrijving
30 V/62 A
Uitvoering
N‑kanaal
UDS
30 V

Download

Specificaties

Highlights & Details

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, Infineon Technologies, IRF3708, IRF3708PBF, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten