JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET (HEXFET/FETKY) Infineon Technologies IRF 3708 N-kanaal I(D) 62 A U(DS) 30 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 162394 - 89
Fabrikantnummer: IRF3708PBF |  EAN: 2050000040870
Afbeelding kan afwijken
€ 1,60
U bespaart € 0,51
€ 1,09
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

MOSFET (HEXFET/FETKY)

Productspecificaties

Type
IRF3708PBF
Behuizingssoort
TO‑220
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
62 A
UBR DSS
30 V
Ptot
87 W
R(DS)(on)
12 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
15 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
2 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
24 C
Q(G) referentiespanning
4.5 V
C(ISS)
2417 pF
C(ISS) referentiespanning
15 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Doorvoergat
Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
30 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Uitvoering
N‑kanaal
UDS
30 V
Type
IRF 3708
Beschrijving
30 V/62 A
ID
62 A

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, MOSFET, fieldeffect-transistor, mos-fet, source, Infineon Technologies, IRF3708PBF, drain, FET, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, gate, unipoliare transistor, metaal oxide semiconductor
Vergelijkbare producten