JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

Mosfet (Hexfet/Fetky) Infineon Technologies IRF 3707 S N-kanaal I(D) 62 A U(DS) 30 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 162393 - 89
Fabrikantnummer: IRF3707S |  EAN: 2050000040863
Afbeelding kan afwijken
€ 1,99
U bespaart € 0,27
€ 1,72
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

Mosfet (Hexfet/Fetky)

Productspecificaties

Type
IRF3707S
Behuizingssoort
D2PAK
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
62 A
UBR DSS
30 V
Ptot
87 W
R(DS)(on)
12.5 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
15 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
3 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
19 C
Q(G) referentiespanning
4.5 V
C(ISS)
1990 pF
C(ISS) referentiespanning
15 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
30 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Beschikbaar in PCB
Target 3001!
Uitvoering
N‑kanaal
UDS
30 V
Type
IRF 3707 S
Beschrijving
30 V/62 A
ID
62 A

Download

Specificaties

Highlights & Details

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, MOSFET, fieldeffect-transistor, mos-fet, source, Infineon Technologies, drain, FET, Feldeffect-transistor, IRF3707S, field-effect transistor, gate, unipoliare transistor, metaal oxide semiconductor
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen