JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET (HEXFET/FETKY) Infineon Technologies IRF 3205 Z N-kanaal I(D) 110 A U(DS) 55 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 164338 - 89
Fabrikantnummer: IRF3205ZPBF |  EAN: 2050000052958
Afbeelding kan afwijken
€ 1,70
U bespaart € 0,82
€ 0,88
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

MOSFET (HEXFET/FETKY)

Productspecificaties

Type
IRF3205ZPBF
Behuizingssoort
TO‑220AB
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
75 A
UBR DSS
55 V
Ptot
170 W
R(DS)(on)
6.5 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
66 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
110 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
3450 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Doorvoergat
Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
55 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Beschikbaar in PCB
Target 3001!
Uitvoering
N‑kanaal
UDS
55 V
Type
IRF 3205 Z
RDS(on)
6.50 mΩ
Beschrijving
55 V/110 A
ID
110 A

Download

Specificaties

Highlights & Details

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, MOSFET, fieldeffect-transistor, mos-fet, source, Infineon Technologies, drain, FET, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, gate, unipoliare transistor, metaal oxide semiconductor, IRF3205ZPBF
Vergelijkbare producten