JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

Mosfet (Hexfet/Fetky) Infineon Technologies IRF 1310 NS N-kanaal I(D) 42 A U(DS) 100 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 162371 - 89
Fabrikantnummer: IRF1310NS |  EAN: 2050000040702
Afbeelding kan afwijken
€ 3,32
Je bespaart € 0,69
€ 2,63
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

Mosfet (Hexfet/Fetky)

Productspecificaties

Type
IRF1310NS HEXFET D2PAK
Behuizingssoort
TO‑263‑3
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
42 A
UBR DSS
100 V
Ptot
3.8 W
R(DS)(on)
36 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
22 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
110 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
1900 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
100 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Beschikbaar in PCB
Target 3001!
Uitvoering
N‑kanaal
UDS
100 V
Type
IRF 1310 NS
Beschrijving
100 V/42 A
ID
42 A

Download

Specificaties

Highlights & Details

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, MOSFET, fieldeffect-transistor, mos-fet, source, Infineon Technologies, drain, IRF1310NS HEXFET D2PAK, FET, IRF1310NS, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, gate, unipoliare transistor, metaal oxide semiconductor
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen