JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

Mosfet (Hexfet/Fetky) Infineon Technologies IRF 1010 NS N-kanaal I(D) 85 A U(DS) 55 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 162364 - 89
Fabrikantnummer: IRF1010NS |  EAN: 2050000040634
Afbeelding kan afwijken
Mosfet (Hexfet/Fetky) Infineon Technologies IRF 1010 NS N-kanaal I(D) 85 A U(DS) 55 V
€ 1,32
U bespaart € 0,48
€ 0,84
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

Mosfet (Hexfet/Fetky)

Productspecificaties

Type
IRF1010NS
Behuizingssoort
TO-263-3
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N-kanaal
I(d)
85 A
UBR DSS
55 V
Ptot
180 W
R(DS)(on)
11 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
43 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
120 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
3210 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
-55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
55 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Uitvoering
N-kanaal
Type
IRF 1010 NS
Beschrijving
55 V/85 A
ID
85 A
UDS
55 V

Downloads

Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen