JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

Mosfet (Hexfet/Fetky) Infineon Technologies IRF 1010 NS N-kanaal I(D) 85 A U(DS) 55 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 162364 - 89
Fabrikantnummer: IRF1010NS |  EAN: 2050000040634
Afbeelding kan afwijken
€ 3,22
Je bespaart € 1,90
€ 1,32
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

Mosfet (Hexfet/Fetky)

Productspecificaties

Type
IRF1010NS HEXFET D2PAK
Behuizingssoort
TO‑263‑3
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
85 A
UBR DSS
55 V
Ptot
180 W
R(DS)(on)
11 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
43 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
120 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
3210 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
55 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Beschikbaar in PCB
Target 3001!
Type
IRF 1010 NS
ID
85 A
Beschrijving
55 V/85 A
Uitvoering
N‑kanaal
UDS
55 V

Download

Specificaties

Highlights & Details

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, IRF1010NS, gate, IRF1010NS HEXFET D2PAK, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, Infineon Technologies, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen