JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET (HEXFET) Vishay IRFD 110 N-kanaal Soort behuizing DIP 4 U(DS) 100 V

Vishay
4 van de 5 door 1 .
  • 2016-12-01 T06:35:14.501-06:00
  • bvseo_lps, prod_bvrr, vn_prr_5.6
  • cp-1, bvpage1
  • co_hasreviews, tv_1, tr_1
  • loc_en_US, sid_162582, prod, sort_default
Bestnr.: 162582 - 89
Fabrikantnummer: IRFD110PBF |  EAN: 2050000042409
Afbeelding kan afwijken
€ 1,21
Je bespaart € 0,86
€ 0,35
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

MOSFET (HEXFET)

Productspecificaties

Type
IRFD110PBF
Behuizingssoort
DIP‑4
Fabrikant
Vishay
VIS
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
1 A
UBR DSS
100 V
Ptot
1.3 W
R(DS)(on)
540 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
600 mA
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
8.3 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
180 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Doorvoergat
Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
100 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Type
IRFD 110
Behuizing
DIP 4
Beschrijving
100 V/1 A
Uitvoering
N‑kanaal
UDS
100 V

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Vishay, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, IRFD110PBF, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen
4 van de 5 door IRFD110 HEXFET HEXDIP VIS Hexfet met uitstekende elektrische eigenschappen in een kleine through-hole behuizing 16 augustus 2010
  • 2016-12-01 T06:35:14.501-06:00
  • bvseo_lps, prod_bvrr, vn_prr_5.6
  • cp-1, bvpage1
  • co_hasreviews, tv_1, tr_1
  • loc_en_US, sid_162582, prod, sort_default
1-1 van 1