JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET (HEXFET / FETKY) Vishay N-kanaal I(D) 2.5 A U(DS) 500 V

Vishay
Bestnr.: 162520 - 89
Fabrikantnummer: IRF820PBF |  EAN: 2050000041822
Afbeelding kan afwijken
€ 1,54
Je bespaart € 0,95
€ 0,59
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

MOSFET (HEXFET / FETKY)

Productspecificaties

Type
IRF820
Behuizingssoort
TO‑220AB
Fabrikant
Vishay
VIS
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
2.5 A
UBR DSS
500 V
Ptot
50 W
R(DS)(on)
3 Ω
R(DS)(on) referentiestroom
1.5 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
24 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
360 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Doorvoergat
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
500 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Beschikbaar in PCB
Target 3001!
ID
2.5 A
Beschrijving
500 V/2.5 A
Uitvoering
N‑kanaal
UDS
500 V

Download

Specificaties

Highlights & Details

Beschrijving

MOSFET-transistoren zijn spanninggestuurde componenten die rechtstreeks op bronnen met een hoge weerstand kunnen worden aangesloten. Zij zijn daardoor uitermate geschikt voor de toepassing als schakelaar of analoge versterker. Deze unipolaire transistoren zijn µC-, TTL- en CMOS-compatibel. Merken: SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.
Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Vishay, Feldeffect-transistor, IRF820, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, IRF820PBF, metaal oxide semiconductor, fieldeffect-transistor, mos-fet