JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET (HEXFET / FETKY) Infineon Technologies P-kanaal I(D) -2.3 A U(DS) -30 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 162545 - 89
Fabrikantnummer: IRF9953 |  EAN: 2050000042058
  • Afbeelding kan afwijken
  • MOSFET (HEXFET / FETKY) Infineon Technologies P-kanaal I(D) -2.3 A U(DS) -30 V
€ 1,63
incl. btw, excl. verzendkosten
Aantal in stuk Prijs Besparing
1 € 1,63 --
150 € 1,54 6% = € 13,50
300 € 1,44 12% = € 57,00
600 € 1,32 19% = € 186,00
800 € 1,19 27% = € 352,00
Op voorraad
  • Type: IRF9953
  • Behuizingssoort: SO-8
  • Fabrikant: Infineon Technologies
  • Fabrikantcode: INF
  • Uitvoering: P-kanaal

MOSFET (HEXFET / FETKY)

Productspecificaties

Type
IRF9953
Behuizingssoort
SO-8
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
P-kanaal
I(d)
2.3 A
UBR DSS
30 V
Ptot
2 W
R(DS)(on)
250 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
1 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
1 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
12 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
190 pF
C(ISS) referentiespanning
15 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
-55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Logic Level Gate
U(DSS)
30 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Uitvoering
P-kanaal
Beschrijving
-30 V/-2.3 A
ID
-2.3 A
UDS
-30 V

Downloads

Specificaties

Vergelijkbare producten