JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET (HEXFET / FETKY) Infineon Technologies P-kanaal I(D) -2.3 A U(DS) -30 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 162545 - 89
Fabrikantnummer: IRF9953 |  EAN: 2050000042058
Afbeelding kan afwijken
€ 1,46
Je bespaart € 0,91
€ 0,55
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

MOSFET (HEXFET / FETKY)

Productspecificaties

Type
IRF9953 HEXFET SO‑8
Behuizingssoort
SO‑8
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
P‑kanaal
I(d)
2.3 A
UBR DSS
30 V
Ptot
2 W
R(DS)(on)
250 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
1 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
1 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
12 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
190 pF
C(ISS) referentiespanning
15 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Logic Level Gate
U(DSS)
30 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Beschikbaar in PCB
Target 3001!
ID
‑2.3 A
Beschrijving
‑30 V/‑2.3 A
Uitvoering
P‑kanaal
UDS
‑30 V

Download

Specificaties

Highlights & Details

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, IRF9953 HEXFET SO-8, IRF9953, Infineon Technologies, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen