JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET (HEXFET / FETKY) Infineon Technologies N/P-kanaal I(D) 6.6 A/-5.3 A U(DS) 20 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 162455 - 89
Fabrikantnummer: IRF7317 |  EAN: 2050000041433
Afbeelding kan afwijken
€ 1,96
Je bespaart € 1,24
€ 0,72
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

MOSFET (HEXFET / FETKY)

Productspecificaties

Type
IRF7317 HEXFET SO‑8
Behuizingssoort
SOIC‑8
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
P‑kanaal
I(d)
6.6 A
5.3 A
UBR DSS
20 V
Ptot
2 W
R(DS)(on)
29 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
6 A
R(DS)(on) referentiespanning
4.5 V
U(GS)(th) max.
0.7 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
27 C
Q(G) referentiespanning
4.5 V
C(ISS)
900 pF
C(ISS) referentiespanning
15 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Logic Level Gate
U(DSS)
20 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Beschikbaar in PCB
Target 3001!
ID
6.6 A/‑5.3 A
Beschrijving
20 V/N/P 6.6 A/‑5.3 A
Uitvoering
N/P‑kanaal
UDS
20 V

Download

Specificaties

Highlights & Details

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, IRF7317, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, IRF7317 HEXFET SO-8, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, Infineon Technologies, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen