JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET (HEXFET / FETKY) Infineon Technologies N/P-kanaal I(D) 6.5 A/-4.9 A U(DS) 30 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 162456 - 89
Fabrikantnummer: IRF7319 |  EAN: 2050000041440
Afbeelding kan afwijken
€ 1,86
Je bespaart € 1,23
€ 0,63
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

MOSFET (HEXFET / FETKY)

Productspecificaties

Type
IRF7319 HEXFET SO‑8
Behuizingssoort
SOIC‑8
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
P‑kanaal
UBR DSS
30 V
Ptot
2 W
R(DS)(on)
29 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
5.8 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
1 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
33 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
650 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
30 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Beschikbaar in PCB
Target 3001!
Uitvoering
N/P‑kanaal
UDS
30 V
Beschrijving
30 V/N/P 6.5 A/‑4.9 A
ID
6.5 A/‑4.9 A

Download

Specificaties

Highlights & Details

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, MOSFET, fieldeffect-transistor, mos-fet, IRF7319 HEXFET SO-8, IRF7319, source, Infineon Technologies, drain, FET, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, gate, unipoliare transistor, metaal oxide semiconductor
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen