JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET (HEXFET / FETKY) Infineon Technologies N-kanaal I(D) 4.9 A U(DS) 30 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 162444 - 89
Fabrikantnummer: IRF7303PBF |  EAN: 2050000041327
  • Afbeelding kan afwijken
  • MOSFET (HEXFET / FETKY) Infineon Technologies N-kanaal I(D) 4.9 A U(DS) 30 V
€ 0,78
(U bespaart € 0,15)
€ 0,63
incl. btw, excl. verzendkosten
Aantal in stuk Prijs Besparing
1 € 0,63 --
500 € 0,61 3% = € 10,00
1.250 € 0,59 6% = € 50,00
2.000 € 0,56 11% = € 140,00
Op voorraad
  • Type: IRF7303PBF
  • Behuizingssoort: SOIC-8
  • Fabrikant: Infineon Technologies
  • Fabrikantcode: INF
  • Uitvoering: N-kanaal

MOSFET (HEXFET / FETKY)

Productspecificaties

Type
IRF7303PBF
Behuizingssoort
SOIC-8
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N-kanaal
I(d)
4.9 A
UBR DSS
30 V
Ptot
2 W
R(DS)(on)
50 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
2.4 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
1 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
25 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
520 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
-55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
30 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Uitvoering
N-kanaal
Beschrijving
30 V/4.9 A
ID
4.9 A
UDS
30 V

Downloads

Vergelijkbare producten