JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET (HEXFET / FETKY) Infineon Technologies N-kanaal I(D) 9.3 A U(DS) 200 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 162421 - 89
Fabrikantnummer: IRF630N |  EAN: 2050000041129
Afbeelding kan afwijken
€ 1,82
Je bespaart € 1,28
€ 0,54
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

MOSFET (HEXFET / FETKY)

Productspecificaties

Type
IRF630N
Behuizingssoort
TO‑263‑3
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
9.3 A
UBR DSS
200 V
Ptot
82 W
R(DS)(on)
300 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
5.4 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
35 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
575 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
200 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Beschikbaar in PCB
Target 3001!
ID
9.3 A
Beschrijving
200 V/9.3 A
Uitvoering
N‑kanaal
UDS
200 V

Download

Specificaties

Highlights & Details

Beschrijving

MOSFET-transistoren zijn spanninggestuurde componenten die rechtstreeks op bronnen met een hoge weerstand kunnen worden aangesloten. Zij zijn daardoor uitermate geschikt voor de toepassing als schakelaar of analoge versterker. Deze unipolaire transistoren zijn µC-, TTL- en CMOS-compatibel. Merken: SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.
Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, IRF630N, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, Infineon Technologies, fieldeffect-transistor, mos-fet