JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET (HEXFET / FETKY) Infineon Technologies N-kanaal I(D) 4.7 A U(DS) 55 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 162457 - 89
Fabrikantnummer: IRF7341 |  EAN: 2050000041457
Afbeelding kan afwijken
€ 1,13
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

MOSFET (HEXFET / FETKY)

Productspecificaties

Type
IRF7341 HEXFET SO‑8
Behuizingssoort
SO‑8
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
4.7 A
UBR DSS
55 V
Ptot
2 W
R(DS)(on)
50 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
4.7 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
1 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
36 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
740 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Logic Level Gate
U(DSS)
55 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Beschikbaar in PCB
Target 3001!
ID
4.7 A
Beschrijving
55 V/4.7 A
Uitvoering
N‑kanaal
UDS
55 V

Download

Specificaties

Highlights & Details

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, IRF7341 HEXFET SO-8, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, IRF7341, Infineon Technologies, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen