JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET (HEXFET / FETKY) Infineon Technologies N-kanaal I(D) 4.7 A U(DS) 55 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 162457 - 89
Fabrikantnummer: IRF7341 |  EAN: 2050000041457
Afbeelding kan afwijken
€ 0,82
U bespaart € 0,02
€ 0,80
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

MOSFET (HEXFET / FETKY)

Productspecificaties

Type
IRF7341
Behuizingssoort
SO‑8
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
4.7 A
UBR DSS
55 V
Ptot
2 W
R(DS)(on)
50 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
4.7 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
1 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
36 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
740 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bijzonderheden
Logic Level Gate
U(DSS)
55 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Uitvoering
N‑kanaal
UDS
55 V
Beschrijving
55 V/4.7 A
ID
4.7 A

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, MOSFET, fieldeffect-transistor, mos-fet, source, Infineon Technologies, drain, FET, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, gate, unipoliare transistor, IRF7341, metaal oxide semiconductor
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen