JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET ( HEXFET / FETKY ) Infineon Technologies N-kanaal I(D) 39 A U(DS) 100 V

Infineon Technologies
MOSFET ( HEXFET / FETKY ) Infineon Technologies N-kanaal I(D) 39 A U(DS) 100 V is rated 4.0 out of 5 by 1.
  • y_2017, m_3, d_21, h_18
  • bvseo_bulk, prod_bvrr, vn_bulk_1.0.0
  • cp_1, bvpage1
  • co_hasreviews, tv_0, tr_1
  • loc_, sid_162639, prod, sort_[SortEntry(order=SUBMISSION_TIME, direction=DESCENDING), SortEntry(order=FEATURED, direction=DESCENDING), SortEntry(order=SUBMISSION_TIME, direction=DESCENDING)]
  • clientName_conrad-nl
Bestnr.: 162639 - 89
Fabrikantnummer: IRFP150NPBF |  EAN: 2050000042874
Afbeelding kan afwijken
€ 1,38
U bespaart € 0,04
€ 1,34
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

MOSFET ( HEXFET / FETKY )

Productspecificaties

Type
IRFP150NPBF
Behuizingssoort
TO‑247‑3
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
42 A
UBR DSS
100 V
Ptot
160 W
R(DS)(on)
36 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
23 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
110 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
1900 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Doorvoergat
Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
100 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Uitvoering
N‑kanaal
UDS
100 V
Beschrijving
100 V/39A
ID
39 A

Download

Specificaties

Beschrijving

MOSFET-transistoren zijn spanninggestuurde componenten die rechtstreeks op bronnen met een hoge weerstand kunnen worden aangesloten. Zij zijn daardoor uitermate geschikt voor de toepassing als schakelaar of analoge versterker. Deze unipolaire transistoren zijn µC-, TTL- en CMOS-compatibel. Merken: SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.
Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, MOSFET, fieldeffect-transistor, mos-fet, IRFP150NPBF, source, Infineon Technologies, drain, FET, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, gate, unipoliare transistor, metaal oxide semiconductor
Rated 4 out of 5 by from Niet duur voor zo'n powerfet Deze fets heb ik met succes in een zelfbouw voeding gezet. Ter vervanging van de normale transistors. Dat gaat goed. De fets bleken ook netjes gelijke stroom te trekken. Dus voor die prijs zeker niet duur.
Date published: 2012-03-04
  • y_2017, m_3, d_21, h_18
  • bvseo_bulk, prod_bvrr, vn_bulk_1.0.0
  • cp_1, bvpage1
  • co_hasreviews, tv_0, tr_1
  • loc_, sid_162639, prod, sort_[SortEntry(order=SUBMISSION_TIME, direction=DESCENDING), SortEntry(order=FEATURED, direction=DESCENDING), SortEntry(order=SUBMISSION_TIME, direction=DESCENDING)]
  • clientName_conrad-nl