JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET (HEXFET / FETKY) Infineon Technologies N-kanaal I(D) 3 A U(DS) 50 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 162431 - 89
Fabrikantnummer: IRF7103PBF |  EAN: 2050000041228
Afbeelding kan afwijken
€ 0,59
Je bespaart € 0,01
€ 0,58
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

MOSFET (HEXFET / FETKY)

Productspecificaties

Type
IRF7103 HEXFET SO‑8
Behuizingssoort
SO‑8
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
3 A
UBR DSS
50 V
Ptot
2 W
R(DS)(on)
130 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
3 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
3 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
30 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
290 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
50 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Beschikbaar in PCB
Target 3001!
ID
3 A
Beschrijving
50 V/3 A
Uitvoering
N‑kanaal
UDS
50 V

Download

Specificaties

Highlights & Details

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, IRF7103 HEXFET SO-8, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, IRF7103PBF, Infineon Technologies, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen