JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET DIODES Incorporated 2N7002-7-F Soort behuizing SOT-23-3

DIODES Incorporated
Bestnr.: 558300 - 89
Fabrikantnummer: 2N7002-7-F |  EAN: 2050003195195
Afbeelding kan afwijken
€ 0,23
incl. btw, excl. verzendkosten
Leverbaar in ca. 3 weken

MOSFET

Productspecificaties

Type
2N7002‑7‑F
Behuizingssoort
SOT‑23‑3
Fabrikant
DIODES Incorporated
DIn
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
115 mA
UBR DSS
60 V
Ptot
370 mW
R(DS)(on)
7.5 Ω
R(DS)(on) referentiestroom
50 mA
R(DS)(on) referentiespanning
5 V
U(GS)(th) max.
2.5 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
C(ISS)
50 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
60 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Type
2N7002‑7‑F
Behuizing
SOT‑23‑3

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, 2N7002-7-F, 2N7002-FDICT-ND, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, DIODES Incorporated, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen