JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET (≤ 1 W) NXP Semiconductors BSP 250 GEG NXP P-kanaal U(DS) 30 V

NXP Semiconductors
Bestnr.: 150848 - 89
Fabrikantnummer: BSP250GEG |  EAN: 2050000011627
Afbeelding kan afwijken
€ 0,91
U bespaart € 0,24
€ 0,67
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

MOSFET (≤ 1 W)

Productspecificaties

Type
BSP250GEG
Behuizingssoort
SOT‑223
Fabrikant
NXP Semiconductors
NXP
Uitvoering
P‑kanaal
I(d)
3 A
UBR DSS
30 V
Ptot
1.65 W
R(DS)(on)
250 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
1 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
2.8 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
1 mA
Q(G)
25 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
250 pF
C(ISS) referentiespanning
20 V
Montagewijze
Oppervlakmontage
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
30 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Uitvoering
P‑kanaal
UDS
30 V
Type
BSP 250 GEG NXP

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, MOSFET, fieldeffect-transistor, mos-fet, source, NXP Semiconductors, drain, FET, BSP250GEG, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, gate, unipoliare transistor, metaal oxide semiconductor
Accessoires voordelig meebestellen