JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

Intelligente vermogenschakelaar Infineon Technologies BTS 640 S2 G ProFET I(D) typ. 12.6 A U(DS) typ. 5 - 34 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 153420 - 89
Fabrikantnummer: BTS640S2G |  EAN: 2050000022944
Intelligente vermogenschakelaar Infineon Technologies BTS 640 S2 G ProFET I(D) typ. 12.6 A U(DS) typ. 5 - 34 V
€ 4,04
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

Intelligente vermogenschakelaar

Productspecificaties

Type
BTS 640 S2 G
Behuizingssoort
TO‑263‑7
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
I(d)
11.4 A
Ptot
85 W
R(DS)(on)
30 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
5 A
R(DS)(on) referentiespanning
12 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑40 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Serie (halfgeleiders)
PROFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
U(DSS)
34 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Beschikbaar in PCB
Target 3001!
Type
BTS 640 S2 G
ID
typ. 12.6 A
UDS
typ. 5 ‑ 34 V
Uitvoering
ProFET

Download

Specificaties

Beschrijving

PROFET.
Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Feldeffect-transistor, BTS640S2G, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, Infineon Technologies, BTS 640 S2 G, fieldeffect-transistor, mos-fet
Accessoires voordelig meebestellen