JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

IGBT IXYS IXGT30N120B3D1 Soort behuizing TO-268

IXYS
Bestnr.: 564317 - 89
Fabrikantnummer: IXGT30N120B3D1 |  EAN: 2050003205924
Afbeelding kan afwijken
€ 11,34
Je bespaart € 1,89
€ 9,45
incl. btw, excl. verzendkosten
Leverbaar in ca. 3 weken

IGBT

Productspecificaties

Type
IXGT30N120B3D1
Behuizingssoort
TO‑268
Fabrikant
IXYS
IXY
Configuratie
1 fase
Minimale doorlaatspanning U(CES)
1200 V
IC
30 A
I(CM)
150 A
VCE verzadiging (max.)
3.5 V
Ptot
300 W
Soort ingang
Standard
Inschakelvertragingstijd t(d)(on)
16 ns
Uitschakelvertragingstijd t(d)(off)(2)
127 ns
Collector reststroom I(ces)
300 µA
Ingangscapaciteit
1750 pF
Q(G)
87 C
Serie (halfgeleiders)
GenX3
Blokkeervertragingstijd T(rr)
100 ns
Montagewijze
Oppervlakmontage
Type
IXGT30N120B3D1
Behuizing
TO‑268

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transfer resistor, IXYS, IXGT30N120B3D1, darlington transistor, germanium transistor, silicium transistor, IGBT, npn, IXGT30N120B3D1-ND, bipolaire transistor, Transistor, pnp, tran-sistor, isolated gate bipolar transistor, bipolar transistor, selen transistor
Accessoires voordelig meebestellen