JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

IGBT - Insulated Gate Bipolar Transistor Infineon Technologies IRGP 30 B 120 KD-E Soort behuizing TO 247 I(C) 30 A

Infineon Technologies
Bestnr.: 163042 - 89
Fabrikantnummer: IRGP30B120KD-E |  EAN: 2050000045653
Afbeelding kan afwijken
€ 10,92
Je bespaart € 5,24
€ 5,68
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

IGBT - Insulated Gate Bipolar Transistor

Productspecificaties

Type
IRGP30B120KD‑E
Behuizingssoort
TO‑247AD
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Configuratie
1 fase
Minimale doorlaatspanning U(CES)
1200 V
IC
60 A
I(CM)
120 A
VCE verzadiging (max.)
4 V
Ptot
300 W
Soort ingang
Standard
Inschakelvertragingstijd t(d)(on)
50 ns
Uitschakelvertragingstijd t(d)(off)(2)
210 ns
Collector reststroom I(ces)
250 µA
Ingangscapaciteit
2200 pF
Q(G)
169 C
Blokkeervertragingstijd T(rr)
300 ns
Montagewijze
Doorvoergat
Beschikbaar in PCB
Target 3001!
Type
IRGP 30 B 120 KD‑E
Behuizing
TO 247
IC
30 A

Download

Specificaties

Highlights & Details

Klanten hadden ook interesse voor
transfer resistor, darlington transistor, germanium transistor, silicium transistor, IGBT, npn, bipolaire transistor, Transistor, pnp, IRGP30B120KD-E, tran-sistor, isolated gate bipolar transistor, bipolar transistor, selen transistor, Infineon Technologies