JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

IGBT - "Insulated Gate Bipolar Transistor" Infineon Technologies IRG 4 RC 20 F N-kanaal Soort behuizing DPAK I(C) 12 A

Infineon Technologies
Bestnr.: 163038 - 89
Fabrikantnummer: IRG4RC20F |  EAN: 2050000045622
IGBT - "Insulated Gate Bipolar Transistor" Infineon Technologies IRG 4 RC 20 F N-kanaal Soort behuizing DPAK I(C) 12 A
IGBT - "Insulated Gate Bipolar Transistor" Infineon Technologies IRG 4 RC 20 F N-kanaal Soort behuizing DPAK I(C) 12 A
€ 2,46
U bespaart € 0,99
€ 1,47
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

IGBT - "Insulated Gate Bipolar Transistor"

Productspecificaties

Type
IRG4RC20F IGBT D-PAK
Behuizingssoort
DPAK
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Categorie
IGBT
Configuratie
1 fase
Minimale doorlaatspanning U(CES)
600 V
IC
22 A
I(CM)
44 A
VCE verzadiging (max.)
2.1 V
Ptot
66 W
Soort ingang
Standard
Inschakelvertragingstijd t(d)(on)
26 ns
Uitschakelvertragingstijd t(d)(off)(2)
194 ns
Collector reststroom I(ces)
250 µA
Ingangscapaciteit
540 pF
Q(G)
27 C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Uitvoering
N-kanaal
Type
IRG 4 RC 20 F
IC
12 A
UCE(on) max.
2.1 V
Behuizing
DPAK

Downloads

Specificaties

Accessoires voordelig meebestellen