JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

IGBT - "Insulated Gate Bipolar Transistor" Infineon Technologies IRG 4 BC 40 W N-kanaal

Infineon Technologies
Bestnr.: 162964 - 89
Fabrikantnummer: IRG4BC40WPBF |  EAN: 2050000045219
Afbeelding kan afwijken
€ 4,24
Je bespaart € 0,28
€ 3,96
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

IGBT - "Insulated Gate Bipolar Transistor"

Productspecificaties

Type
IRG4BC40W
Behuizingssoort
TO‑220AB
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Configuratie
1 fase
Minimale doorlaatspanning U(CES)
600 V
IC
40 A
I(CM)
160 A
VCE verzadiging (max.)
2.5 V
Ptot
160 W
Soort ingang
Standard
Inschakelvertragingstijd t(d)(on)
27 ns
Uitschakelvertragingstijd t(d)(off)(2)
100 ns
Collector reststroom I(ces)
250 µA
Ingangscapaciteit
1900 pF
Q(G)
98 C
Montagewijze
Doorvoergat
Type
IRG 4 BC 40 W
UCE(on) max.
2,5 V
Uitvoering
N‑kanaal

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transfer resistor, darlington transistor, IRG4BC40WPBF, germanium transistor, silicium transistor, IGBT, npn, bipolaire transistor, Transistor, pnp, tran-sistor, isolated gate bipolar transistor, bipolar transistor, IRG4BC40W, selen transistor, Infineon Technologies