JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

IGBT - "Insulated Gate Bipolar Transistor" Infineon Technologies IRG 4 BC 30 F N-kanaal

Infineon Technologies
Bestnr.: 162944 - 89
Fabrikantnummer: IRG4BC30F |  EAN: 2050000045080
Afbeelding kan afwijken
€ 2,98
Je bespaart € 1,60
€ 1,38
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

IGBT - "Insulated Gate Bipolar Transistor"

Productspecificaties

Type
IRG4BC30F
Behuizingssoort
TO‑220AB
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Configuratie
1 fase
Minimale doorlaatspanning U(CES)
600 V
IC
31 A
I(CM)
120 A
VCE verzadiging (max.)
1.8 V
Ptot
100 W
Soort ingang
Standard
Inschakelvertragingstijd t(d)(on)
21 ns
Uitschakelvertragingstijd t(d)(off)(2)
200 ns
Collector reststroom I(ces)
250 µA
Ingangscapaciteit
1100 pF
Q(G)
51 C
Montagewijze
Doorvoergat
Type
IRG 4 BC 30 F
UCE(on) max.
1,8 V
Uitvoering
N‑kanaal

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transfer resistor, darlington transistor, germanium transistor, silicium transistor, IGBT, npn, bipolaire transistor, Transistor, pnp, tran-sistor, IRG4BC30F, isolated gate bipolar transistor, bipolar transistor, selen transistor, Infineon Technologies