JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

IGBT - "Insulated Gate Bipolar Transistor" Infineon Technologies IRG 4 BC 20 FD N-kanaal Soort behuizing TO 220 I(C) 9 A

Infineon Technologies
Bestnr.: 162927 - 89
Fabrikantnummer: IRG4BC20FD |  EAN: 2050000045011
Afbeelding kan afwijken
€ 2,03
U bespaart € 0,43
€ 1,60
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

IGBT - "Insulated Gate Bipolar Transistor"

Productspecificaties

Type
IRG4BC20FD
Behuizingssoort
TO‑220AB
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Configuratie
1 fase
Minimale doorlaatspanning U(CES)
600 V
IC
16 A
I(CM)
64 A
VCE verzadiging (max.)
2 V
Ptot
60 W
Soort ingang
Standard
Inschakelvertragingstijd t(d)(on)
43 ns
Uitschakelvertragingstijd t(d)(off)(2)
240 ns
Collector reststroom I(ces)
250 µA
Ingangscapaciteit
540 pF
Q(G)
27 C
Blokkeervertragingstijd T(rr)
37 ns
Montagewijze
Doorvoergat
Uitvoering
N‑kanaal
UCE(on) max.
2 V
IC
9 A
Behuizing
TO 220
Type
IRG 4 BC 20 FD

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
isolated gate bipolar transistor, selen transistor, tran-sistor, IRG4BC20FD, Transistor, Infineon Technologies, npn, darlington transistor, bipolaire transistor, germanium transistor, silicium transistor, bipolar transistor, IGBT, pnp, transfer resistor