JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

IGBT - "Insulated Gate Bipolar Transistor" Infineon Technologies IRG 4 BC 20 F N-kanaal Soort behuizing TO 220 I(C) 9 A

Infineon Technologies
Bestnr.: 162926 - 89
Fabrikantnummer: IRG4BC20F |  EAN: 2050000045004
Afbeelding kan afwijken
€ 2,56
Je bespaart € 0,61
€ 1,95
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

IGBT - "Insulated Gate Bipolar Transistor"

Productspecificaties

Type
IRG4BC20F
Behuizingssoort
TO‑220AB
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Configuratie
1 fase
Minimale doorlaatspanning U(CES)
600 V
IC
16 A
I(CM)
64 A
VCE verzadiging (max.)
2 V
Ptot
60 W
Soort ingang
Standard
Inschakelvertragingstijd t(d)(on)
24 ns
Uitschakelvertragingstijd t(d)(off)(2)
190 ns
Collector reststroom I(ces)
250 µA
Ingangscapaciteit
540 pF
Q(G)
27 C
Montagewijze
Doorvoergat
Type
IRG 4 BC 20 F
Behuizing
TO 220
IC
9 A
UCE(on) max.
2 V
Uitvoering
N‑kanaal

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transfer resistor, darlington transistor, germanium transistor, silicium transistor, IGBT, npn, bipolaire transistor, Transistor, pnp, tran-sistor, isolated gate bipolar transistor, bipolar transistor, selen transistor, Infineon Technologies, IRG4BC20F