JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

IGBT - "Insulated Gate Bipolar Transistor" Infineon Technologies IRG 4 BC 15 UD N-kanaal Soort behuizing TO 220 I(C) 5.5 A

Infineon Technologies
Bestnr.: 162925 - 89
Fabrikantnummer: IRG4BC15UD |  EAN: 2050000044991
Afbeelding kan afwijken
€ 2,02
Je bespaart € 0,30
€ 1,72
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

IGBT - "Insulated Gate Bipolar Transistor"

Productspecificaties

Type
IRG4BC15UD
Behuizingssoort
TO‑220AB
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Configuratie
1 fase
Minimale doorlaatspanning U(CES)
600 V
IC
14 A
I(CM)
42 A
VCE verzadiging (max.)
2.4 V
Ptot
49 W
Soort ingang
Standard
Inschakelvertragingstijd t(d)(on)
17 ns
Uitschakelvertragingstijd t(d)(off)(2)
160 ns
Collector reststroom I(ces)
250 µA
Ingangscapaciteit
410 pF
Q(G)
23 C
Blokkeervertragingstijd T(rr)
28 ns
Montagewijze
Doorvoergat
Type
IRG 4 BC 15 UD
Behuizing
TO 220
IC
5.5 A
UCE(on) max.
1.95 V
Uitvoering
N‑kanaal

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transfer resistor, darlington transistor, germanium transistor, silicium transistor, IGBT, npn, bipolaire transistor, Transistor, pnp, tran-sistor, isolated gate bipolar transistor, bipolar transistor, IRG4BC15UD, selen transistor, Infineon Technologies