JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

Hexfet/Fetky Infineon Technologies SI4435DY P-kanaal Soort behuizing SO-8 U(DS) -30 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 162883 - 89
Fabrikantnummer: SI4435DY |  EAN: 2050000044830
Afbeelding kan afwijken
€ 1,35
Je bespaart € 0,83
€ 0,52
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

Hexfet/Fetky

Productspecificaties

Type
SI4435DY
Behuizingssoort
SO‑8
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
P‑kanaal
I(d)
8.8 A
UBR DSS
30 V
Ptot
1 W
R(DS)(on)
20 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
8.8 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
3 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
24 C
Q(G) referentiespanning
5 V
C(ISS)
1604 pF
C(ISS) referentiespanning
15 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Serie (halfgeleiders)
PowerTrench®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
30 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Type
SI4435DY
Behuizing
SO‑8
Beschrijving
‑30 V/‑8,0 A
Uitvoering
P‑kanaal
UDS
‑30 V

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, SI4435DY, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, Infineon Technologies, fieldeffect-transistor, mos-fet
Accessoires voordelig meebestellen