JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

HEXFET/FETKY Infineon Technologies IRLR024N N-kanaal Soort behuizing DPAK I(D) 17 A U(DS) 55 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 162843 - 89
Fabrikantnummer: IRLR024N |  EAN: 2050000044519
HEXFET/FETKY Infineon Technologies IRLR024N N-kanaal Soort behuizing DPAK I(D) 17 A U(DS) 55 V
€ 0,70
Je bespaart € 0,17
€ 0,53
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

HEXFET/FETKY

Productspecificaties

Type
IRLR024N
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
17 A
UBR DSS
55 V
Ptot
45 W
R(DS)(on)
65 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
10 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
2 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
15 C
Q(G) referentiespanning
5 V
C(ISS)
480 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
Bijzonderheden
Logic Level Gate
U(DSS)
55 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Beschikbaar in PCB
Target 3001!
Type
IRLR024N
Behuizing
DPAK
ID
17 A
Beschrijving
55 V/17 A
Uitvoering
N‑kanaal
UDS
55 V

Download

Specificaties

Highlights & Details

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, IRLR024N, metaal oxide semiconductor, Infineon Technologies, fieldeffect-transistor, mos-fet
Accessoires voordelig meebestellen