JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

Hexfet/Fetky Infineon Technologies IRFR 9120 N P-kanaal I(D) - 6.6 A U(DS) - 100 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 162701 - 89
Fabrikantnummer: IRFR9120N |  EAN: 2050000043444
Hexfet/Fetky Infineon Technologies IRFR 9120 N P-kanaal I(D) - 6.6 A U(DS) - 100 V

Er is een fout opgetreden.

De opdracht kon niet goed worden verwerkt. Probeer het nog een keer en neem, als het dan nog niet lukt, contact op met contact@conrad.nl

Hexfet/Fetky

Productspecificaties

Type
IRFR9120N HEXFET D‑PAK
Behuizingssoort
TO‑263‑3
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
P‑kanaal
I(d)
6.6 A
UBR DSS
100 V
Ptot
40 W
R(DS)(on)
480 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
3.9 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
27 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
350 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
100 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Beschikbaar in PCB
Target 3001!
Type
IRFR 9120 N
ID
‑ 6.6 A
Beschrijving
100 V/5,6 A
Uitvoering
P‑kanaal
UDS
‑ 100 V

Download

Specificaties

Highlights & Details

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Feldeffect-transistor, IRFR9120N HEXFET D-PAK, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, Infineon Technologies, IRFR9120N, fieldeffect-transistor, mos-fet
Accessoires voordelig meebestellen